脉冲激光沉积制备阻变存储器用NiO薄膜的研究

• 作 者: 雷华伟 朱俊 刘莹莹 唐正瑜 郝兰众 张鹰
• 机 构: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
• 出 处: 第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议
• 发表日期: 2010年11期
• 关键词: 氧化镍薄膜 阻值翻转 脉冲激光沉积 阻变存储器 微观结构 表面形貌 阻变性质

针对应用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2／Si上制备多晶NiO薄膜，研究了氧分压对薄膜微观结构、表面形貌和阻变性质的影响.结果表明，1 Pa氧分压下制备的NiO薄膜表面乎整度最高，表面均方根粗糙度为0.5l nm.Au/Ni/NiO/Pt结构的Ⅰ-Ⅴ测试曲线表明其forming电压为4.4 V，高低阻态比值为2个数量级，并表现出可逆的阻值翻转现象.