我国轧辊制造业发展建议

来源 :2011现代冶金轧辊技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guaitaidejiao
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
目前我国轧钢装备发展水平我国的钢铁工业以每年递增超过20%~3096的速应发展,钢铁产量已经连续8年排名世界第一,2010年粗钢产量达6.27亿吨。我国这些年轧钢装备水平和产能提高很快,比如冷热轧板带轧机、中厚板轧机、大中型轧机、涂镀机组等一大批世界先进装备在我国相继投产,大人提高了我国轧钢装备的总体水平和生产能力,尤其是高档产品的生产能力,到目前为止我国的钢铁产品除冷轧薄宽带钢、镀层板和高级电工钢的国内市场占有率还待进一步提高外,其余基本上满足国内新需求,按轧机类型各类轧机的数量及产能情况。
其他文献
概述我国钢丝磷化技术的发展过程,并对电解磷化、浸渍磷化、连续磷化工艺进行比较。介绍无锡市通成工业炉窑有限公司研制的具有独立知识产权的电解磷化槽,现场试验结果表明,其常
介绍Labspark750A型直读火花光谱仪测定中碳合金钢中钼含量的方法。以42CrMoA钢为例,由试样的测量值,测量重复性引起的不确定度,系统效应引起被测量的不确定度,由标准样品在定值
导波光学以光的电磁理论为基础,研究光波在光学波导中的传播、散射、偏振、衍射等效应,我们深入研究了SOI波导中的单模条件和传输特性。利用半导体材料的电光效应能够对光波进
硅基发光材料的制备与研究一直是人们关注的课题之一,因为这是实现硅基单片光电集成的关键和难点,迄今仍没有一个确定的解决方案[1]。为了克服体硅材料量子效率低下的问题,人们
本文运用电子束辐照的方法可控地在硅中引入位错,并制备了pn结发光二极管,研究了其低温与室温的电致发光性能。研究表明,经电子束辐照引入的位错分布弥散,呈碎片状。制备的pn结器
采用第一性原理密度泛函理论研究了硅纳米晶中引入C1杂质对硅纳米晶的影响。当纳米晶中引入一个C1原子时,C1原子更倾向于位于纳米晶的表面位置。在硅纳米晶的合成过程中,若C1的
硅基发光器件在半导体光电集成和光通信等领域具有广泛的应用前景。近年来,Er3+掺杂的MOS结构发光器件(MOSLED)因其较高的发光效率而受到广泛关注。Er掺杂的纳米硅氧化物中,受
由于近些年来光电子发展的迫切需要,研究和开发能够与微电子领域现有S技术兼容的硅基光互连和硅基光电集成变得越来越重要。同时,由于Si本身是非直接带隙半导体材料,其发光效率
SnO2是一种直接带隙宽禁带(Eg=3.6~4.0eV)氧化物半导体。它在可见光区透明而在红外区反射并具有优异的导电性和较好的化学稳定性,被广泛的应用于透明导电玻璃、太阳能电池、气
我们在项层硅掺铒的SOI衬底上制作了二维非对称平板三角晶格光子晶体双异构微腔。室温PL谱中,仅存在一个位于1552.2nm通信波长处的很尖锐的发光峰,其发光强度相对于同等注入条