超声雾化法制备的Er掺杂SnO2薄膜发光性质的研究

来源 :2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jack196409
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SnO2是一种直接带隙宽禁带(Eg=3.6~4.0eV)氧化物半导体。它在可见光区透明而在红外区反射并具有优异的导电性和较好的化学稳定性,被广泛的应用于透明导电玻璃、太阳能电池、气敏传感器、液晶显示器等领域。最近几年,SnO2基气敏薄膜、稀磁半导体薄膜等方面的研究受到广泛关注,对其发光特性的研究主要集中在其带边和缺陷发光方面。
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