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脉冲激光沉积(PLD)是一种非常适合于化合物半导体薄膜生长的物理气相沉积技术，并于近些年来得到了广泛的研究。不过，国内外关于PLD制备应用于CdTe薄膜太阳电池的CdS窗口层的报道很少。本文中使用248nm KrF准分子脉冲激光沉积系统制备出了CdS多晶薄膜，研究了衬底温度对CdS薄膜性质及CdS/CdTe太阳电池性能的影响。