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在4英寸化合物工艺线上使用国产外延材料成功研制C波段InGaP/GaAsHBT功率管,器件的热稳定性和高频功率特性良好.电流增益截止频率(fr)和最大振荡频率(fmax)分别为34GHz和32GHz;10×30×2μm2功率管的LoadPull在片测试饱和输出功率为1W,功率密度3.33W/mm;1dB功率压缩点输出功率为28.8dBm,线性功率增益大于9dB.