【摘 要】
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本文通过分析论证：反钙钛矿结构材料Mn3GaN具有很强的磁电容积效应,具有"负膨胀"效应,但由于相变过程中,体积突变,无法作为有效的负热膨胀材料使用.研究发现,Ge等元素在Ga位的
【机 构】
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北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083
【出 处】
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第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
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本文通过分析论证：反钙钛矿结构材料Mn3GaN具有很强的磁电容积效应,具有"负膨胀"效应,但由于相变过程中,体积突变,无法作为有效的负热膨胀材料使用.研究发现,Ge等元素在Ga位的替代式掺杂,可以使Mn3GaN材料的相变温区变宽.本文利用氮化物的固相烧结法合成了掺杂的Mn3GaN系列样品,并利用变温XRD精确测量了晶胞常数随温度的变化.当温度接近80℃时,Mn3GaN体积急剧收缩.而掺Ge和Si的样品体积收缩过程变缓,负膨胀效应明显,其温区展宽.其中Mn3Ga0.5Ge0.37Si0.13N在相变温区80℃～150℃的热膨胀系数约为α=-2.8×10-5/K,Mn3Ga0.5Si0.5N在此温区的膨胀系数为正,约为α=6.0×10-6/K.另外,对其样品的相变性质进行了热分析.
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