【摘 要】
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本文介绍了基于GaAs肖特基变容二极管三维模型和集总肖特基结区模型的220 GHz三倍频器研制过程.通过扫描电子显微镜、探针平台、半导体分析仪等对二极管进行物理结构和电学特
【机 构】
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中国工程物理研究院.电子工程研究所 四川绵阳 621900
【出 处】
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第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会
论文部分内容阅读
本文介绍了基于GaAs肖特基变容二极管三维模型和集总肖特基结区模型的220 GHz三倍频器研制过程.通过扫描电子显微镜、探针平台、半导体分析仪等对二极管进行物理结构和电学特性进行测量,建立了二极管三维模型和考虑高频等离子体谐振等效应的集总非线性肖特基结区模型,利用二极管三维结构模型和结区模型进行220GHz三倍频电路设计,倍频器电路结构为非平衡三倍频电路结构,采用三维有限元和谐波平衡分析方法进行仿真设计,通过混合集成工艺制作;实测倍频器在213～221 GHz范围内输出功率大于7dBm,倍频损耗小于16dB,最小倍频损耗为14.5dB.
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