【摘 要】
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本文采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜，对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是：基板支
【机 构】
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本文采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜，对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是：基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域，氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢；对氢化非晶硅薄膜的影响是：基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域，氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。
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