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本文对应用于显示器件上阵列基板的Cu/Metals导线所用H2O2基和Non-H2O2基刻蚀液成分、原理及其蚀刻特性进行了探讨及研究，采用离子色谱（IC，Ion Chronmtography)、SEM及FIB等定性、定量分析了H2O2基及Non-H2O2基刻蚀液中主要的酸种类及其成分，结合主要成分酸的作用原理对所测试刻蚀液进行了解释、分析，并对试验结果进行了探讨；本文根据实验结果对两种刻蚀液湿蚀刻特性进行了探讨并得出了初步的结论；根据本次试验结果，H2O2基刻蚀液表现出较好的湿蚀刻特性，更适用于TFT显示器件厂商的生产。