高温高压CeTbO[*v3*]合成过程中电阻的动态测试研究

• 作 者: 刘宏建;苏文辉;千正男;
• 机 构: 吉林大学
• 出 处: 中国物理学会第四届高压学术讨论会
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 合成 稀土化合物 高温-高压技术 电阻 动态参量 测试 稀土化合物 氧化物 氧缺位 稀土氧化物

在0.5GPa、4.0GPa的压力下，从室温到800℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO[*v3*]、单稀土氧化物Tb[*v4*]O[*v7*]、CeO[*v2*]和摩尔比为4∶1配比的混合物CeO[*v2*]＋Tb[*v4*]O[*v7*]等电阻随温度变化关系。对这四种物质均反应出电阻随温度增加而减半的半导体特征。在压力为0.5GPa，温度高于600℃时发现了混合物CeO[*v2*]＋Tb[*v4*]O[*v7*]、氧化物Tb[*v4*]O[*v7*]中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明，对应这一电阻变化，在结构上也出现了变化。分析结果表明，这一变化与Tb[*+*]→Tb[*+*]的价态变化是密切相联的。（本刊录）