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本文从机理上分析了Mg2SiO4-SiC型陶瓷介质衰减材料在耦合腔行波管中的重要作用,并提出了一种检测方法,用于吸收瓷介电性能的工程化应用表征测试,同时给出了吸收瓷的制备工艺,并分析出影响吸收瓷性能参数的工艺因素,达到了可以准确的调整和控制吸收瓷性能的目标.
耦合腔行波管用Mg2SiO4-SiC型陶瓷介质衰减材料
【摘 要】
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本文从机理上分析了Mg2SiO4-SiC型陶瓷介质衰减材料在耦合腔行波管中的重要作用,并提出了一种检测方法,用于吸收瓷介电性能的工程化应用表征测试,同时给出了吸收瓷的制备工艺
【机 构】
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三乐电子信息产业集团有限公司 南京 210009
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
【发表日期】
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2013年期
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