论文部分内容阅读
单层石墨是理想二维晶体，具有奇特的狄拉克线性色散关系。另外，单层石墨的迁移率较高，具有成为下一代主要电子材料的潜力。单层石墨一般是金属性的，这限制了诸多微纳电子学的应用，所以单层石墨半导体化成为目前一个主要研究方向。研究发现单层石墨纳米带或特定化学修饰的单层石墨都具有典型意义上的半导体能隙。本文采用基于广义梯度近似方法(GGA)的密度泛函理论(DFT)，对氟化单层石墨的结构及电子态进行了计算。计算包括系列氟化强度下的氟化单层石墨的能带结构和结合能，并对相关物理结构的稳定性进行了分析。计算表明氟化单层石墨是半导体，其能隙可以通过氟化强度及方式加以调制。