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目前在SiC缺陷方面的研究一般都是通过刻蚀或者TEM这种有损的方法进行分析，而对于无损表征只是局限于对某种缺陷的表征，如对4H-SiC材料的堆垛层错的无损表征，对于SiC材料的多种缺陷利用一种方法同时进行表征的还未见报道。本文利用阴极荧光联合分析系统对偏8°的4H-SiC外延材料缺陷进行无损测试，从材料的表面以及深层对缺陷进行观测，同时得到了多种缺陷形貌，为4H-5iC材料与器件的研究工作提供有价值的信息。