(Ga，Mn)As中自旋弛豫和退相位机制以及超快光控磁翻转

• 作 者: 朱永刚 张新惠 李涛 黄霞 韩莉芬 陈林 赵建华
• 机 构: 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083
• 出 处: 第十七届全国半导体物理学术会议
• 发表日期: 2009年8期
• 关键词: 稀磁半导体 半导体特性 空穴调制 自旋弛豫 退相位机制

稀磁半导体(Ga,Mn)As由于兼备常规半导体特性和空穴调制的铁磁性，可望用来实现下一代半导体自旋电子器件。深刻理解低温下(Ga,Mn)As的自旋动力学，特别是自旋弛豫和退相干过程，对基础物理和实际应用都极为重要。然而目前关于(Ga,Mn)As低温下的自旋弛豫和退相干机制的观点并不一致，本研究利用自行搭建的时间分辨磁光克尔测量系统对(Ga,Mn)As的自旋动力学及光控四态磁翻转开展了研究。