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近年来，半导体自旋电子学得到了迅速发展，1996年，Ohno等通过低温分子束外延(MBE)的方法制备出稀磁半导体GaMnAs，这引发了人们对Mn掺入GaAs的研究兴趣。在GaMnAs中，二价Mn离子取代Ga的位置成为受主杂质，提供了大量空穴，使得Mn磁性离子之间能够产生以空穴为中介的交换作用，从而使其具有优良的铁磁性。笔者进行了薄层GaMnAs材料的拉曼散射。