【摘 要】
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以氧化锡锑(Sb掺杂含量为20 at％)和SnO2纳米复合粉体为原料,采用放电等离子体烧结法(SPS)和退火工艺处理后制备了高致密高导电的氧化锡锑(ATO)陶瓷.研究了SPS烧结工艺和后期退
【机 构】
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武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室,湖北武汉430070
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以氧化锡锑(Sb掺杂含量为20 at％)和SnO2纳米复合粉体为原料,采用放电等离子体烧结法(SPS)和退火工艺处理后制备了高致密高导电的氧化锡锑(ATO)陶瓷.研究了SPS烧结工艺和后期退火工艺对ATO陶瓷靶材结构与性能的影响.结果表明:采用SPS烧结技术,当升温速率为100℃/min、压力为40 MPa时,在900～1000℃烧结并保温3 min时可获得致密度大于94％的ATO陶瓷,但由于烧结环境处于缺氧条件导致其电阻率较高.而在空气气氛下经过800℃的后期退火处理后电阻率可低至6.28×10-3Ω·cm.
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