【摘 要】
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气相输运工艺沉积硒硫化锑(Sb2(S,Se)3)因其有潜力实现低成本、高通量的光伏器件产业化,受到了越来越多人的研究关注.然而,由于Sb2(S,Se)3吸收层的生长机理尚不明确,晶粒的择优取向生长十分困难,阻碍了其器件性能的进一步提升.为此,我们采用了一种简单可行的方法来控制蒸汽的输运速度,有效地实现了晶粒大、形貌致密的Sb2(S,Se)3薄膜生长.通过双蒸发源的协调作用,获得了高转换效率Sb2(
【机 构】
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华东师范大学 上海市闵行区东川路500号
【出 处】
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第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会
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气相输运工艺沉积硒硫化锑(Sb2(S,Se)3)因其有潜力实现低成本、高通量的光伏器件产业化,受到了越来越多人的研究关注.然而,由于Sb2(S,Se)3吸收层的生长机理尚不明确,晶粒的择优取向生长十分困难,阻碍了其器件性能的进一步提升.为此,我们采用了一种简单可行的方法来控制蒸汽的输运速度,有效地实现了晶粒大、形貌致密的Sb2(S,Se)3薄膜生长.通过双蒸发源的协调作用,获得了高转换效率Sb2(S,Se)3太阳能电池(η=8.17％).最重要的是,通过导纳光谱分析,首次发现了相比于缺陷密度,缺陷活化能对该类器件性能的影响更为关键.该项研究也对其它相似低维材料的缺陷作用和载流子复合机制分析具有极其重要的借鉴参考意义.
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