氩气等离子体刻蚀石墨烯片来增强其场发射性能

• 作 者: 亓钧雷 王欣 郑伟涛 田宏伟 胡超权 彭寅山
• 机 构: 吉林大学材料科学与工程学院,超硬国家重点实验室,汽车材料实验室,长春 130012
• 出 处: 中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
• 发表日期: 2009年期
• 关键词: 氩气 等离子体刻蚀 石墨 场发射 增强化学气相沉积 开启电压 发射性能 极限电流密度 电压降低 电场强度 发射点 证明

本文研究了氩等离子体刻蚀处理等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备出的石墨烯片，有效地增强其场发射性能。通过较短的时间刻蚀处理，发现其开启电压降低，场发射的发射点增多。特别是经过3分钟的等离子体刻蚀处理，其开启电压由3.91减小到2.23V/μm，在电场强度为4.4 V/μm时的极限电流密度由33增加到1330μA/cm2。这也证明了等离子体刻蚀处理有效的提高了石墨烯片的场发射性能。