【摘 要】
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铁磁半导体作为既能够利用磁矩来进行信息存储,也能够利用电荷运动进行信息处理的特殊材料,一直是半导体领域的一个研究热点.对铁磁半导体的研究,涉及多种半导体材料,包括IV族材料,Ⅲ-Ⅵ族材料,Ⅱ-Ⅶ族材料等.相比之下,IV族铁磁半导体材料有着独特的优势:与硅基集成电路有着良好的的兼容性;其有着潜在的高居里温度.为了解决上述难点，我们系统的进行了分子束外延制备MnGe 纳米结构研究。从零维量子点，到一维
【机 构】
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北京航空航天大学,电子信息工程学院,费尔北京研究院,北京 100191;加州大学洛杉矶分校,电子工程学院,美国 90095
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铁磁半导体作为既能够利用磁矩来进行信息存储,也能够利用电荷运动进行信息处理的特殊材料,一直是半导体领域的一个研究热点.对铁磁半导体的研究,涉及多种半导体材料,包括IV族材料,Ⅲ-Ⅵ族材料,Ⅱ-Ⅶ族材料等.相比之下,IV族铁磁半导体材料有着独特的优势:与硅基集成电路有着良好的的兼容性;其有着潜在的高居里温度.为了解决上述难点，我们系统的进行了分子束外延制备MnGe 纳米结构研究。从零维量子点，到一维纳米线，再到二维纳米网结构，成功的实现了无磁性金属化合物产生的高质量MnGe铁磁半导体材料。通过利用量子限制效应以及尺寸效应，实现了室温的居里温度，并成功的实现了电场可控的铁磁特性，以及磁阻调控。这为未来实现电场可控的磁性存储器，磁性探头和自旋场效应晶体管等自旋电子器件奠定了基础。
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Conventional techniques are currently relying on the cumbersome approaches of manipulating the processing schemes,biotechnology approaches offer promising and plausible solutions for processing of suc
The two-dimensional electron gas(2DEG) at the interface of two materials with same crystal symmetry and similar lattice constants but different bandgaps has for many years been a fertile playground fo
In this talk,we will introduce how to fabricate and study the artificial 5d iridate superlattices by the combo of oxide molecular beam epitaxy(OMBE),in situ angle-resolved photoemission spectroscopy(A
Co2FeAl是一种Full-Heusler合金,理论上由于其费米面附近自旋少数的电子态密度为零而具有100％自旋极化率1.另外,Co2FeAl的晶胞磁矩有5μB,居里温度达到1000K2,其与重要的第二代半导体GaAs的晶格失配仅为0.96％3-4,因此Co2FeAl/GaAs的异质结构是研究半导体中自旋注入的重要课题之一.
Group Ⅲ-Ⅴ semiconductor nanowires(NWs) on Si platform have attracted an increasing interest in recent years.By integrating the direct band gap Ⅲ-Ⅴ materials that have high absorption coefficient onto
Ⅲ-Ⅴ semiconductor nanowire(NW)-offers unique electrical and optical properties therefore viable for the next generation high speed electronics,optoelectronics,biosensing,energy storage devices,etc [1,
半金属磁性材料由于在费米面附近只存在一种自旋取向的电子,理论而言它的自旋极化率为100％,对于自旋注入起到了关键作用1.利用分子束外延技术(MBE）生长出了高质量的heusler合金Co2FeAl薄膜,并且测量其输运性质.发现当Co2FeAl薄膜厚度减小到10ML(1ML=0.14nm)时,R-T曲线表现为半导体的性质(Fig.1).认为,由于薄膜属于岛状生长模式,当薄膜厚度减小到10ML时,Co
量鉴于未来对量子系统集成及大面积拓展的需求,由外延方式生长的量子点成为一个富有潜力的选项.然而,传统的自聚型量子点有无序分布的先天特性,使得其对称性和位置均不可控,这大大地增加了后续系统集成的困难度.此型量子点一般是在(100)晶向的衬底上外延生长,由于对称性较低而造成较大的精细结构劈裂.这将不利于产生高保真度的偏振纠缠光子对,进而无法为基于纠缠的量子信息处理使用.本报告中，选择采用金字塔型的量子
双层耦合InAs量子点的发光波长在低温下可拓展至光通信波段,可应用于光纤量子通信及光纤量子密钥传输等重要领域3-5.通过分子束外延(MBE）梯度生长方法获得的低密度耦合点,已经被证实可以作为单光子源使用6.本文报道通过将双层量子点与微柱微腔(～3μm）耦合的方法,利用Purcell效应在通信波段获得了高计数的单光子发射.利用InGaAs单光子探测器,单光子计数达到62KHz.
以SK(Stranski-Krastanov）模式生长的低密度GaAs基量子点(InAs/GaAs或GaAs/AlGaAs）,由于可在类二能级体系中周期性地光泵浦或电注入电子、空穴,在低温下具有类原子光谱而用以制备单光子源.它具有高的振子强度,窄的谱线宽度,波长可调谐,且容易集成等优势,从而成为固态量子物理和量子信息器件领域研究的热点.目前，实现高效量子点量子光源面临的挑战性问题是单量子点的可控制