半金属γ'-Fe4N的电子结构及光催化性能研究

• 作 者: 蒋诗琪;郝维昌;王天民;
• 机 构: 北京航空航天大学物理系,北京海淀区学院路37号,100191
• 出 处: 第十四届全国太阳能光化学与光催化学术会议
• 发表日期: 2014年期

　　γ-Fe4N 是一种新型磁记录材料，具有比饱和磁化强度高、记录密度高等优点[1].2012 年印度学者P.Dhanasekaran[2]报道称γ-Fe4N 粉末同时也具有一定的可见光光催化的特性.本文中，我们利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算来对γ-Fe4N 材料的电子结构进行研究.计算结果显示γ-Fe4N 的自旋向上和自旋向下的电子密度不同，使其同时拥有金属性和半导体性.其中Fe1(0 0 0)位置的Fe 原子对材料的金属性有贡献，而Fe2(0.5 0.50)位置的Fe 原子与其他N 原子产生化合键，导致材料同时具有半导体的光催化性.