【摘 要】
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为了满足THz真空电子器件对电子源高发射、小尺寸、特定形状的要求,本文研制了直接由阴极发射高电流密度带状电子束的技术并对电子束的发射性能进行了研究和表征。本研究以氧
【机 构】
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北京工业大学材料学院 北京 100022
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会
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为了满足THz真空电子器件对电子源高发射、小尺寸、特定形状的要求,本文研制了直接由阴极发射高电流密度带状电子束的技术并对电子束的发射性能进行了研究和表征。本研究以氧化钪掺杂扩散型阴极高发射为基础,配合形状和厚度合适的带状束成型结构,构成带状束电子源。实验结果显示,该带状束电子源提供的电子束形状良好,在950C<,b>的工作温度、70A/cm<2>电流密度下稳定工作526小时发射不下降。这一结果说明,该带状束电子源在THz领域内具有良好的应用前景。
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