【摘 要】
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本文中采用LogU-LogI双对数曲线的偏离点电流密度以及欠热曲线中的阴极特征温度作为阴极发射性能的参数来考核实验阴极在直流状态下的发射性能。采用掺杂氧化钪在现有M型阴极
【机 构】
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三乐集团有限公司电子器件研究所 南京 210009
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会
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本文中采用LogU-LogI双对数曲线的偏离点电流密度以及欠热曲线中的阴极特征温度作为阴极发射性能的参数来考核实验阴极在直流状态下的发射性能。采用掺杂氧化钪在现有M型阴极的基础上进行改进,可以提高阴极的发射水平,降低阴极特征温度。φ3mm标准阴极的二极管实验表明,改进后的阴极发射水平有了很大的提高,在LogU-LogI双对数曲线图上,改进后的阴极发射还处在伏安特性曲线的直线部分,其直流偏离点电流密度一定大于12.86A/cm<2>。改进后阴极的特征温度为850℃,阴极的工作温度在1000℃-1020℃之间。在某管种上的应用结果表明,在工作温度为1000℃时,改进后的阴极满足管种使用要求。
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