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本文从密集波分复用(DWDM)光网络的发展需求出发,评述了目前支撑光网络关键性光电子器件的发展现状,指出光器件集成芯片,光电子系统集成芯片,尤其是以Si为平台的系统集成芯片和规模化产品技术的研发是未来光电子的发展趋向.
支撑光网络发展的光电子器件研发现状与趋势
【摘 要】
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本文从密集波分复用(DWDM)光网络的发展需求出发,评述了目前支撑光网络关键性光电子器件的发展现状,指出光器件集成芯片,光电子系统集成芯片,尤其是以Si为平台的系统集成芯片和规模化产品技术的研发是未来光电子的发展趋向.
【机 构】
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集成光电子国家重点联合实验室
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年3期
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本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10cm.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接触.源漏区长度为0.4μm,栅极长度为0.1μm.通过模拟得到了漏极电流I与漏源电压的V输出特性曲线.在V=15V,V=0V的条件下漏极电流I
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