【摘 要】
：
本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10cm.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接触.源漏区长度为0.4μm,栅极长度为0.1μm.通过模拟得到了漏极电流I与漏源电压的V输出特性曲线.在V=15V,V=0V的条件下漏极电流I
【出 处】
：
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10<17>cm<-3>.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接触.源漏区长度为0.4μm,栅极长度为0.1μm.通过模拟得到了漏极电流I<,d>与漏源电压的V<,ds>输出特性曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下漏极电流I<,d> i为5.03A/cm,这是一个比较高的值.模拟还得到了跨导和电流截止频率与栅源电压的关系曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=1.5V,的条件下,跨导出现最大值,最大值为112ms/mm.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下,电流截止频率f<,T>出现最大值,最大值为98GHZ.
其他文献
叙述了采用传统的平面工艺技术制备的快响应电流型Si探测器的制备工艺.为了提高探测器的时间响应,对300чm厚的探测器进行了适当的减薄处理.给出了不同探测器样品减薄处理前后的漏电流测量结果及厚度100чm,灵敏面积为10、25mm的探测器在300V反向偏压下对Am α粒子电流响应测量结果.
BESⅢ漂移室(DC)模型用1.85GBqFe5.9keV X射线放射源作加速老化实验研究.测量了阳极丝电流I和 Fe5.9keV X射线全能光电峰位随累积电荷量Q的变化,由此得到累积相当BESⅢ MDC5a全天候运行的电荷量(0.07C/cm)后的漂移室小单元的阳极电流为初始值的87﹪;老化率为R=-0.19﹪/(mC/cm).
利用CTC-67型三通道γ源加速器测量了φ50mm,φ60mmPIN探测器的时间响应、线性电流及相对灵敏度,并与理论计算结果进行了比较,验证了实验结果的可靠性.
介绍一种在钢铁连铸结晶器钢液液位测控中使用的抗磁耐高温抗震高稳定性BGO探测器的研制.
介绍了新研制的大直径高气压充氙正比计数管的性能、指标和与原来正比管的比较,以及它在特殊场合的应用.
研究了标准型康普顿探测器灵敏度与能量的关系,在分析计算不同吸收体厚度对探测器输出的影响后,提出了对γ能谱依赖较小的非标准型介质型康普顿探测器设计思想;减少吸收体厚度,使能量相对高的部分入射光子能够穿出吸收体,进入后散射体,以减少γ射线相对高能量部分对输出的贡献.研究表明:当吸收体厚度为2cm时,可以使康普顿探测器的灵敏度相对平均灵敏度的变化仅17.25﹪,这种探测器的灵敏度对γ能谱依赖性明显变小.
介绍了北京正负电子对撞机国家重点工程中BESⅢ Slow Control在全新北京谱仪中的重要性,并通过在三个探测器:量能器EMC、漂移室MDC、Muon RPC的实验模型中的具体实例应用,介绍了慢控制主要采用的一总线技术.
介绍了用于中国科学院近代物理研究所RIBLL终端LASCAR闪烁体阵列探测器和RIBLL2中子墙、TOF墙的多路光电倍增管高压控制系统组成和结构特点.
短寿命裂变产物Cs是测量裂变燃耗的重要核素,其半衰期为33.41min,经β-衰变到Ba,共发射88条γ射线.根据母核衰变到子核基态上各种射线强度之和等于母核衰变活度的强度平衡法原理,用已标定好的峰效率曲线的HPGeγ谱仪准确测定了138Cs的γ射线发射概率,P(1435.86keV)的测定结果为0.7599±0.0032.
导爆索缺陷检测是中子照相的重要应用领域之一,中子束能谱、滤束材料及中子散射等因素都会影响导爆索图像对比度.采用Monte Carlo方法计算了这些因素的影响,并给出了定量的结果,计算采用MCNP/4B软件.