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本文采用氢稀释调制技术，成功地控制非晶孵化层厚度小于10 nm，获得了晶化度纵向均匀的微晶硅薄膜。微结构和电学性质研究表明：采用氢稀释调制技术在薄膜晶化度不变的条件下，大大改善了薄膜的质量。最终得到了XC =75﹪，Ea=0.41eV，σd 在10-7~10-6.-1cm-1，红外吸收谱中无氧峰的优质微晶硅薄膜。