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采用PECVD 技术,在不锈钢和玻璃衬底上沉积μc-Si:H 薄膜。用拉曼光谱分析和研究了沉积温度、沉积功率和硅烷含量分别对在两种衬底沉积上的薄膜的结构特性的影响。研究发现,在相同条件下,在沉积温度不太高(≤400℃)时,玻璃衬底上沉积的薄膜的晶化率高于不锈钢衬底上沉积的薄膜的晶化率。但玻璃衬底上沉积的μc-Si:H 薄膜的晶硅散射峰值高于相同条件下在不锈钢衬底上沉积的薄膜的晶硅散射峰值。