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Optimization of electrical characteristics of ALD deposited HfO2 and TiN compatible with gate last p
【机 构】
：
KeyLaboratoryofMicroelectronicsDevices&IntegratedTechnology,InstituteofMicroelectronics,ChineseAcade
【出 处】
：
第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会
【发表日期】
：
2012年10期
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