Band Offset Characterization of Atomic Layer Deposited Nd2O3 on Si

来源 :第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rambo527

【摘要】

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　　The Nd2O3-Si valence and conduction band offsets(VBO and CBO,respectively)of both as-grown and annealed at 700 and 900℃ are measured using a combination of

【作者】

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Xiaojiao Fan Hongxia Liu Xujie Zhang

【机构】

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SchoolofMicroelectronics,KeyLaboratoryofWideband-GapSemiconductorMaterialsandDevices,XidianUniversit

【出处】

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第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会

【发表日期】

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2012年10期

【关键词】

：

Nd2O3 ALD CBO VBO

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　　The Nd2O3-Si valence and conduction band offsets(VBO and CBO,respectively)of both as-grown and annealed at 700 and 900℃ are measured using a combination of x-ray photoemission spectroscopy(XPS)and variable angle spectroscopic ellipsometry(VASE).

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