【摘 要】
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短波红外1.0-2.6μ m探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.现有InGaAs红外探测器的探测范围窄,为了扩展InGaAs红外探测器的探测范围,需要设计一种新
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,长春 130033
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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短波红外1.0-2.6μ m探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.现有InGaAs红外探测器的探测范围窄,为了扩展InGaAs红外探测器的探测范围,需要设计一种新型的宽探测波段探测器结构.本研究采用n型InP衬底,In0.82Ga0.18As作为吸收层即i层,p型InP或InAsP作为盖层,构成pin结构.利用Crosslight软件中APSYS模块对具有不同组分盖层探测器的光电特性进行模拟计算.通过测量光照前后器件的I-V特性曲线和光谱响应曲线,讨论温度、i层厚度及载流子浓度对红外探测器件物理性能的影响.研究结果表明,InAsP相对于InP作为盖层具有更好的光电特性.此外,温度、i层厚度及载流子浓度对器件的光电特性有很大影响.增加i层载流子浓度使器件的暗电流和光电流减小,同时也降低了器件对信号光的响应率.而改变温度和吸收层厚度具有相反的影响趋势.这对设计新型宽波段红外探测器具有一定的指导意义.
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