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The Mechanism of Electrolyte GatingElectrostatic Field Effect versus Oxygen Migration

来源 :The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zjj008

【作 者】

：

Lingchao Zhang Shengwei Zeng Xinmao Yin Teguh Citra Asmara Ping Yang Dongyang Wan Kun Han Wenxiong Zhou Andrivo Rusydi Ariando T.Venkatesan 

【机 构】

：

NUSNNI-NanoCore,NationalUniversityofSingapore,Singapore117411;DepartmentofPhysics,NationalUniversity

【出 处】

：

The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际

【发表日期】

：

2016年10期

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