半导体超薄微结构材料

• 作 者: 孔梅影 孙殿照 陈宗圭
• 机 构: 中国科学院半导体研究所
• 出 处: 第二届中国材料研讨会
• 发表日期: 1988年期
• 关键词: 半导体科学技术 超薄 微结构材料 多量子阱结构 高迁移率晶体管 高性能 生长技术 电子工业 材料基础 异质结 激发器 倒相器 选择 体系 室温 设备 器件 掺杂

半导体超薄微结构材料是发展新一代半导体科学技术的材料基础。其主要生长技术是MBE、MOCVD和新发展起来的CBE技术。该文首先简述和比较了这三种技术，着重介绍利用MBE设备所研制的一系列高性能的GaAs-AlGaAs体系的材料及其性能。其中最典型的两种超薄微结构材料：“选择掺杂GaAs／AlGaAs异质结”和“多量子阱结构”已被用于新型器件的研制。该所用以研制出了高迁移率晶体管（HEMT）和室温连续激射的多量子阱激发器，电子工业部13所用以研制出了E／D HEMT DCFL倒相器。（本刊录）