【摘 要】
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本文用高温固相法合成了Eu2+,Mn2+共掺的Sr2Mg3P4O15-SrMgP2O7,并且观察到了两个Eu2+和两个Mn2+的发射带,通过对样品XRD和发光光谱的分析,我们把这两个Eu2+和两个Mn2+的发射带归于Eu2+和Mn2+分别占据体系中不同晶体结构的SrMgP2O7和Sr2Mg3P4O15相中的阳离子格位导致的两种不同晶场环境下的Eu2+和Mn2+的特征发射。在这个混相体系中不仅存在同
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 激发态重点实验室,吉林长春130033;中国科学院研究生院,北京100039
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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本文用高温固相法合成了Eu2+,Mn2+共掺的Sr2Mg3P4O15-SrMgP2O7,并且观察到了两个Eu2+和两个Mn2+的发射带,通过对样品XRD和发光光谱的分析,我们把这两个Eu2+和两个Mn2+的发射带归于Eu2+和Mn2+分别占据体系中不同晶体结构的SrMgP2O7和Sr2Mg3P4O15相中的阳离子格位导致的两种不同晶场环境下的Eu2+和Mn2+的特征发射。在这个混相体系中不仅存在同一相中的离子间的能量传递,并且我们还发现不同相间的离子间也有传递。由于能量传递效率强烈依赖于离子间距离,我们推测发生这种相间传递的离子位于两个相的界面上。
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本文采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和N掺杂源,利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在c-面蓝宝石衬底上,通过调制Zn源温度外延生长了氮掺杂的氧化锌合金薄膜(ZnO：N).通过拉曼光谱(Raman),光致发光谱(PL),X射线光电谱(XPS)及霍尔测试仪对薄膜的光电特性进行表征.结果表明,ZnO：N的光电特性随着Zn源温度的变化而发生较明显的变化.随着Zn源温度的增加,Raman谱中
用等离子体辅助分子束外延方法,用Li-N作为双受主掺杂剂得到了p-ZnO薄膜.在此基础上构建了p-ZnO：(Li,N)/i-ZnO/n-ZnO结构光电探测器,并研究了其光响应特性.图1所示为器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,由图可见器件具有典型的整流特性,开启电压大约为6V.图2所示为器件的光响应谱线,从图中可以看到,在0V偏压下,器件在380 nm处有一个明显的响应峰值,响应度为0.45 mA/W.据我们所
ZnO,作为短波长光电器件的优选材料,由于氧空位、锌填隙或者生长过程中引入的H等原因呈现n型电导.要实现ZnO的P型转变,理论上可以通过掺杂I,V族元素来实现.Ag作为IB族元素,与IA族一样,可以通过Ag替位Zn形成受主.同时Ag离子半径较大,可有效避免形成填隙原子成为施主缺陷.就此本文以AgNO3作为掺杂源并利用电化学沉积方法制备了Ag掺杂的ZnO纳米线.采用SEM、XRD和PL对样品的形貌,
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成InGaN/GaN纳米柱.对于薄膜样品和纳米柱样品,在7～200K的测试温区内,InGaN层光致发光(PL)波长与温度的关系均表现出典型的"S"型变化.与薄膜相比,10K下纳米柱阵列InGaN层的发光强度增加
GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延的方法生长,因此不可避免的与衬底之间存在晶格失配和热失配,从而导致大量位错的产生(往往高达108-109/cm2)。所以,研究位错对GaN光学性质的影响,对了解GaN发光器件失效的机理,提高其发光效率,具有重要的
ZnO作为一种宽带隙半导体,由于具有3.37eV的带隙和高达60meV的激子束缚能等优异特性,已经引起了人们的广泛关注,尤其是在发光二极管和激光应用方面具有巨大潜力.C面蓝宝石衬底由于具有高的结晶质量,通常被作为GaN和ZnO等材料的衬底,但是与ZnO之间晶格失配高达18％,由于晶格不匹配,导致ZnO薄膜中存在大量的晶格缺陷.在本文中,我们讨论了不同取向的蓝宝石衬底(c面,r面和a面)蓝宝石对Zn
阻抗谱是测量有机电致发光器件电学特性和界面行为的重要方法。本文制备了交互穿插界面结构为ITO/NPB/CBP+Ir(ppy)3(xnm)/Al有机电致磷光器件,以CBP(4,4-N,N-二咔唑联苯)为主体材料,Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱)为磷光掺杂剂,NPB为空穴传输层。利用阻抗谱对不同厚度发光层的磷光器件进行研究,通过频率-电容曲线、电压-电容曲线分析器件的界面电荷俘获以及注入电荷动
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氮化物或氮氧化物发光材料由于其良好的热稳定性、化学稳定性,及其优良的发光性质而受到广泛关注.在本项研究中,以容易获得的CaCO3,Al2O3,Eu2O3和α-Si3N4为反映原料,在N2气氛下,通过热碳还原氮化法,成功制备得到了α-SiAlON：Eu(Ca0.8Si9.2Al2.8O1.2N14.8：xEu2+(X=0～0.24).获得样品呈直径为～0.6μm、长为～2.5μm的棒状晶粒,在紫外到
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