【摘 要】
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ZnO,作为短波长光电器件的优选材料,由于氧空位、锌填隙或者生长过程中引入的H等原因呈现n型电导.要实现ZnO的P型转变,理论上可以通过掺杂I,V族元素来实现.Ag作为IB族元素,与IA族一样,可以通过Ag替位Zn形成受主.同时Ag离子半径较大,可有效避免形成填隙原子成为施主缺陷.就此本文以AgNO3作为掺杂源并利用电化学沉积方法制备了Ag掺杂的ZnO纳米线.采用SEM、XRD和PL对样品的形貌,
【机 构】
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长春理工大学 理学院,吉林长春130022 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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ZnO,作为短波长光电器件的优选材料,由于氧空位、锌填隙或者生长过程中引入的H等原因呈现n型电导.要实现ZnO的P型转变,理论上可以通过掺杂I,V族元素来实现.Ag作为IB族元素,与IA族一样,可以通过Ag替位Zn形成受主.同时Ag离子半径较大,可有效避免形成填隙原子成为施主缺陷.就此本文以AgNO3作为掺杂源并利用电化学沉积方法制备了Ag掺杂的ZnO纳米线.采用SEM、XRD和PL对样品的形貌,结构和发光性能进行了表征.XRD测试表明所得纳米线结晶性质良好,未出现Ag的分相.变温PL中观测到了与Ag相关的受主发光峰.为了进一步验证所制备Ag掺杂的ZnO纳米线具有p型导电特性,我们按照同样的生长方法在n型GaN衬底上生长Ag掺杂ZnO纳米线,获得基于p型ZnO纳米线和n型GaN的异质结,并对其结效应和光学特性进行分析.
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宽禁带ZnO作为新型低成本LED材料,成为近十几年来的研究热点。然而,ZnO的p型掺杂瓶颈却成为制约ZnO基实用化LED器件开发的关键问题。本文首先采用自行设计的金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在Si单晶衬底上生长高结晶质量ZnO薄膜,进而研制出ZnO/Si基异质结LED器件。研究表明,n-ZnO/n+-Si异质结与传统的n-ZnO/p+-Si异质结相比具有更好的电致发光特性,呈现出显著的近
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采用一种低成本的超声喷雾热分解方法,以醋酸锌和硝酸铟水溶液为前驱体,在单晶GaAs(100)衬底上制备出ZnO以及In掺杂ZnO的多晶薄膜,并进一步研制出ZnO/GaAs基异质结LED器件,着重探讨了In掺杂对ZnO薄膜结构、光电性质以及ZnO/GaAs异质结电致发光行为的影响机制.研究发现,随着In元素掺入,ZnO薄膜的(002)晶体取向性变弱,同时n型电导显著增强,表明In元素已掺杂进入ZnO
本文利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光(PL)光谱研究了利用MOCVD在Ge衬底上生长的GaInP外延层的结构和光学性质.HRTEM图像结果表明没有任何结构缺陷存在.实验中发现,相对于未掺杂结构,Si掺杂导致了GaInP结构从有序到无序的转变,并进而带来了带内和近带边发光特性的显著差异.在掺杂材料中,同时观察到了GaInP有序和无序结构的发光,而在未掺杂材料中只观察到了有序结构的发光.我
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本文采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和N掺杂源,利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在c-面蓝宝石衬底上,通过调制Zn源温度外延生长了氮掺杂的氧化锌合金薄膜(ZnO：N).通过拉曼光谱(Raman),光致发光谱(PL),X射线光电谱(XPS)及霍尔测试仪对薄膜的光电特性进行表征.结果表明,ZnO：N的光电特性随着Zn源温度的变化而发生较明显的变化.随着Zn源温度的增加,Raman谱中
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