【摘 要】
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通过固相反应法制备了W6掺杂,Cr2O3改性的Bi4Ti3O12压电陶瓷.重点研究了烧结温度(1075～1175℃)对陶瓷材料晶相结构,介电、导电性能的影响.结果表明,随着烧结温度的提高,材料的
【机 构】
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中航工业成都凯天电子股份有限公司传感器中心 成都610091
【出 处】
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第十三届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
通过固相反应法制备了W6掺杂,Cr2O3改性的Bi4Ti3O12压电陶瓷.重点研究了烧结温度(1075～1175℃)对陶瓷材料晶相结构,介电、导电性能的影响.结果表明,随着烧结温度的提高,材料的结晶强度先增加后减小.1150℃是该类陶瓷材料合适的烧结温度,该温度下制备该类陶瓷材料具有良好的工艺性,可促进固相反应的进行,减少材料内部的缺陷.因此在该温度下制备的BTIW材料显现出了优异的电学性能,其结晶良好,T=631℃,d33=20.5Cp/N,损耗较小(tanδ(500℃)≤5.0％)、电阻率的温度稳定性最佳(ρ(500℃)=107Ω·cm).
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