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黄铜矿型CuInSe〈,2〉(CIS)的禁带宽度近于1.0eV,其多晶薄膜具有优良的光电特性,0.5μm厚的SIC足以吸收90℅的太阳光子。理论推算,CIS多晶薄膜太阳电池的光电转换效就绪可达到20℅。从降低工艺成本,并获得性能优良的CIS薄膜考虑,该文首次应用溶胶-凝胶法制备了CIS多晶薄膜。工艺过程分为两步:(1)溶胶-凝胶法制备Cu2In205(以下简称CIO)薄膜;(2)Se化CIO薄膜,从而得到CIS薄膜。