Mg/B多层膜后退火制备MgB2薄膜性质

• 作 者: 刘亮;马小柏;余增强;吴克;聂瑞娟;王福仁;
• 机 构: 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
• 出 处: 第十届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会
• 发表日期: 2008年期

本文研究了后退火温度、时间以及薄膜厚度对于MgB2薄膜性质的影响。首先在A1203(0001)衬底上通过电子束蒸发沉积Mg/B多层膜作为前驱体，然后后退火制备MgB2薄膜。实验发现，900℃高温后退火制备的薄膜样品超导转变温度Tc会有所提升，超过36K，但转变宽度也较人；退火温度在900℃以下时存在一个中间最佳退火温度，样品厚度增加时Tc明显提高。磁测量曲线(M-H曲线)显示了退火温度对薄膜磁通钉扎力的影响，700℃后退火样品内部形成高密度的磁通钉扎中心，使得样品高磁场下有较大临界电流密度，Jc(4T)～105A/cm2。AFM分析表明薄膜表面粗糙度很小，13.8×13.8μm2范围表面平均粗糙度(Ra)为8.0nmm。