衬底旋转改善光辅助MOCVD法制备1英寸YBCO外延膜均匀性的初步研究

• 作 者: 李国兴 方秀军 赵磊 李善文 杨皓宇 杜国同 周本初 李万成 殷景志 张宝林 陈伟孟 陈晋平 高忠民
• 机 构: 集成光电子国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春,130023
• 出 处: 第十届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会
• 发表日期: 2008年期
• 关键词: 衬底 旋转 光辅助 MOCVD法 制备 YBCO 外延膜 均匀性 厚膜 厚度 磁感应法 差异 测量 薄膜 scan 进气口 SQUID 轴向 致密 证明

单一倾斜进气口光辅助MOCVD，在未旋转1”LAO衬底上制备纯c轴向YBCO外延膜时，厚度差异很大。衬底旋转后，得到厚度差异在10％以内的厚膜(～1.5μm)和薄膜(-0.6μm)。XRD 20-scan显示无YBCO(001)外杂峰，ω-FWHM为0.28°，φ-scan证明ab晶向整齐。另由SEM显示，YBCO膜致密，无晶粒界面。以磁感应法测量此薄膜的Jc为1.9～2.9 MA/cm2，厚膜为～0.3MA/cm2。SQUID测量YBCO小切片Tc在90～91 K之间。