【摘 要】
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本文报道了基于倒扣技术的AlGaN/GaN HEMT功率器件,并详细分析了热凸点和电凸点对倒扣寄生参数以及热阻的影响,优化AlN基板设计,获得了基于倒扣技术的单指型管芯150×0.8 um,
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,100029
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文报道了基于倒扣技术的AlGaN/GaN HEMT功率器件,并详细分析了热凸点和电凸点对倒扣寄生参数以及热阻的影响,优化AlN基板设计,获得了基于倒扣技术的单指型管芯150×0.8 um,器件的直流输出特性为0.7 A/mm,比倒扣前提高了40％,在Vgs=-2V,Vds=25V,4GHz下测出线性增益10 dB,26 dBm输出功率,功率密度2.7 W/mm,比倒扣前的功率输出能力提高了一倍.倒扣方法的使用大大增强了管芯的功率容限,提高了器件的功率输出,加快了蓝宝石衬底GaN功率器件的实用化进程。
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