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【摘 要】
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本论文提供了MOSFET铜线键合的一种方法，给出了MOSFET铜线键合的工艺参数以及各方面应该注意的事项。由于采用的是铜线高密度键合，其相对于粗铝丝键合分散了芯片压力，这样芯
【机 构】
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深圳市晶导电子有限公司,广东深圳518101
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
【发表日期】
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2011年期
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