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为了能够获得性能良好、击穿稳定的高压功率超快恢复二极管，本文对场板和场限环两种终端保护结构进行了充分的理论分析和仿真研究，对环间距、场板厚度、场板长度等影响击穿电压的因素进行了定量分析。在此基础上，采用场限环和场板组合设计，设计出了一款1 700 V的复合平面终端结构。该结构采用了7个场限环，结深为12 Eun，通过对环的间距、场板长度等参数优化调整后，最终达到击穿电压达到1 850V以上。该结构终端面积小、漏电流密度低，对功率半导体器件的高压终端设计有一定的指导意义。