【摘 要】
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本研究在蓝宝石衬底上制作了栅长90nm源漏间距0.8um的AlGaN/GaN HEMT并进行了表征。器件在栅偏压为0V时的最大漏电流密度为995 mA/mm。最大峰值跨导为225 mS/mm。器件的电流
【机 构】
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专用集成电路重点实验室,河北半导体研究所,石家庄 050051
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本研究在蓝宝石衬底上制作了栅长90nm源漏间距0.8um的AlGaN/GaN HEMT并进行了表征。器件在栅偏压为0V时的最大漏电流密度为995 mA/mm。最大峰值跨导为225 mS/mm。器件的电流增益截止频率和最大振荡频率分别为102 GHz和147 GHz。抑制短沟道效应并减小接触电阻有望进一步提升器件的性能。
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