【摘 要】
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采用助溶剂缓冷法生长出KTb(PO)的晶体。测量了它的真空紫外光谱，观测到位于260，250，193 nm的吸收带为Tb的4f～5d自旋禁戒跃迁；位于210 nm,≈186 nm和160 nm的吸收带为Tb的4f～5d自旋
【机 构】
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中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室(长春)科学技术研究所
【出 处】
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首届国际华厦无机固体化学和合成化学研讨会暨第七届全国无机固体化学和合成化学学术讨论会
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采用助溶剂缓冷法生长出K<,3>Tb(PO<,4>)<,2>的晶体。测量了它的真空紫外光谱，观测到位于260，250，193 nm的吸收带为Tb<3+>的4f～5d自旋禁戒跃迁；位于210 nm,≈186 nm和160 nm的吸收带为Tb<3+>的4f～5d自旋允许跃迁；在≈125 nm处为(PO<,4>)<,2><6->的基质吸收带。K<,3>Tb(PO<,4>)<,2>晶体的主要发射峰位于490，544，587，622 nm。在真空紫外光照射下发出较强的绿光。
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