【摘 要】
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使用一种新的途径制备TiCoO薄膜.首先利用射频磁控反应溅射制备TiCoN薄膜样品.然后通过低真空氧化制得TiCoO薄膜样品.利用振动样品磁强计(VSM)测量了样品在常温下的磁特性.结
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院;晶体材料国家重点实验室(济南)
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使用一种新的途径制备TiCoO<,2>薄膜.首先利用射频磁控反应溅射制备TiCoN薄膜样品.然后通过低真空氧化制得TiCoO<,2>薄膜样品.利用振动样品磁强计(VSM)测量了样品在常温下的磁特性.结果显示样品在常温下具有明显的铁磁性.其矫顽力300Oe,饱和磁化强度350emu/cm<3>,饱和场1500Oe.利用X射线光电子能谱(XPS)分析样品的元素成分及Co元素的化合状态.确定有50﹪以上的Co原子掺入到TiO<,2>晶格中.
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