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该文研究了利用勾形磁场的拉晶技术。通过改变磁场强度及埚转速度，可将氧的轴向梯度控制在中氧范围内的±１ｐｐｍａ内，利用分段拉晶技术可以拉制Ｎ〈１１１〉高阻单晶，替代区熔单晶，用于制造小功率器件。
勾形磁场拉晶技术
【摘 要】
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该文研究了利用勾形磁场的拉晶技术。通过改变磁场强度及埚转速度，可将氧的轴向梯度控制在中氧范围内的±１ｐｐｍａ内，利用分段拉晶技术可以拉制Ｎ〈１１１〉高阻单晶，替代区熔单晶，用于制造小功率
【机 构】
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有色金属研究总院半导体材料工程研究中心
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年9期
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