Electri and magnetic properties in La2/3Sr1/3MnO3 thin films

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhu872007990
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  Because of the technological importance of spin vales or spin injectors as potential applications of manganite oxides,which induced a larger number of works on manganite thin films.
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半导体量子点中激子量子比特、带电激子的电子或空穴自旋量子比特,是实现量子计算的有力候选者。由于量子点是三维受限的零维结构,而且具有类似原子的分立能级,可以通过电场、磁场、及光场对其能级进行调制。
利用脉冲激光沉积技术在蓝宝石上衬底上交替沉积了ZnS/(CdS/ZnS)n(n=2,4,8),通过结构、形貌分析,100℃低温沉积的超晶格结构为六方相结构,其中ZnS和CdS层的厚度分别为30纳米和60纳米,透光率超过85%。
由于AlGaN/GaN/AlGaN 多层异质结构较AlxGa1-xN/GaN 单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和迁移率[1,2],而且非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN 异质结构又与实际的高迁移率晶体管(HEMT)最为接近而广泛应用于HEMT 器件中。
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Over the last decades,researchers have shown remarkable interests in oxides dilute magnetic semiconductors(ODMS)due to their applications in spintronic devices by utilizing both charge and spin [1].
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Multiferroic materials which simultaneously display ferroelectricity and magnetism have attracted much attention due to their interesting new physics and potential for exploring novel multifunctional