【摘 要】
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由于AlGaN/GaN/AlGaN 多层异质结构较AlxGa1-xN/GaN 单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和迁移率[1,2],而且非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN 异质结构又与实际的高迁移率晶体管(HEMT)最为接近而广泛应用于HEMT 器件中。
【机 构】
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内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特 010021
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
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由于AlGaN/GaN/AlGaN 多层异质结构较AlxGa1-xN/GaN 单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和迁移率[1,2],而且非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN 异质结构又与实际的高迁移率晶体管(HEMT)最为接近而广泛应用于HEMT 器件中。
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