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在所有宽禁带半导体中,ZnO由于其3.37 eV的禁带宽度以及较大的激子束缚能在光电领域受到了广泛关注.研究者们尝试了多种技术来提高ZnO基LED的发光效率,例如：ZnO同质外延、p型掺杂、能带工程、多量子阱(MQWs)、非极性ZnO薄膜、高质量Zn1-xMgxO和ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱等.