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La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)多晶薄膜具有良好的低场磁电阻性能,在磁存储等领域有着广泛的应用前景.居里温度(TC)和金属-绝缘转变温度(TMI)是表征LSMO薄膜的磁、电性能的两个重要参量,而TC和TMI之间的温度差(△T=TC-TMI)对其低场磁电阻性能有很大影响.