SRAM中敏感放大器的分析与优化设计

• 作 者: 林杨 孙岩 李少青 方粮
• 机 构: 国防科技大学计算机学院
• 出 处: 第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET'08)
• 发表日期: 2008年期
• 关键词: SRAM 敏感放大器 分析 存储器设计 优化设计方法 功耗延迟积 重要影响 性能 外围电路 时间延迟 工艺

敏感放大器是存储器中最重要的外围电路之一,对于提高存储器的性能有重要影响.本文对当前存储器设计中三种主要敏感放大器进行了分析,提出了一种新型的敏感放大器优化设计方法。在0.13μm工艺实现下,敏感放大器的时间延迟可以减少到14.11ps,比同工艺下基本敏感放大器缩短了50％,功耗延迟积减少了30％,在很大程度上提高了性能.