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高品质HBT用GSMBE生长Si/SiGe/Si材料

来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fremar
【摘 要】
：
在国产设备上,研究了用气体源MBE(GSMBE)生长异质结Si/SiGe/Si HBT材料及其掺杂控制工艺,生长出高品质HBT用Si/SiGe/Si材料,器件的性能达到β=75;f=20GHz,这是迄今为止已见报导的GSMBE生长SiGe材料及国内研制HBT器件的最好结果.
【作 者】
：
黄大定 刘超 李建平 邹德恕 高斐 孙殿照 朱世荣 孔梅影 沈光地 林兰英 
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京工业大学电子信息与控制学院(北京)
【出 处】
：
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
：
2001年6期
【关键词】
：
气体源生长 SiGe材料 控制工艺 双极晶体管 
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在国产设备上,研究了用气体源MBE(GSMBE)生长异质结Si/SiGe/Si HBT材料及其掺杂控制工艺,生长出高品质HBT用Si/SiGe/Si材料,器件的性能达到β=75;f<,T>=20GHz,这是迄今为止已见报导的GSMBE生长SiGe材料及国内研制HBT器件的最好结果.
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